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IR (Infineon Technologies) / BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1

製造業者識別番号: BSC252N10NSFGATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
データシート: BSC252N10NSFGATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C7.2A (Ta), 40A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs25.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 43µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs17 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1100 pF @ 50 V
FET機能-
消費電力(最大)78W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース8-PowerTDFN
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