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Rochester Electronics / FDZ209N

FDZ209N

製造業者識別番号: FDZ209N
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
データシート: FDZ209N データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズPowerTrench®
パッケージBulk
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C4A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs80mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs9 nC @ 5 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds657 pF @ 30 V
FET機能-
消費電力(最大)2W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ12-BGA (2x2.5)
パッケージ/ケース12-WFBGA
オプションの購入

在庫状況: 20644

最小: 1

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