Renesas Electronics America / 2SK2221-E
画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
2SK2221-E
| 製造業者識別番号: | 2SK2221-E |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 200V 8A TO3P |
| データシート: | 2SK2221-E データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 述べる
- Renesas Electronics America 2SK2221-E はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。
仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 200 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 8A (Ta) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600 pF @ 10 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 100W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
||
貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
人気モデル
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Rochester Electronics |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Rochester Electronics |
 |
Rochester Electronics |
 |
Rochester Electronics |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Rochester Electronics |
 |
Renesas Electronics America |
 |
ROHM Semiconductor |
カートに追加されました！
このアイテムはカートに追加されました。