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Rochester Electronics / IPS105N03LGAKMA1

IPS105N03LGAKMA1

製造業者識別番号: IPS105N03LGAKMA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
データシート: IPS105N03LGAKMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C35A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs14 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1.5 pF @ 15 V
FET機能-
消費電力(最大)38W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO251-3
パッケージ/ケースTO-251-3 Stub Leads, IPak
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在庫状況: 27000

最小: 1

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