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Rochester Electronics / NTD12N10-1G

NTD12N10-1G

製造業者識別番号: NTD12N10-1G
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
データシート: NTD12N10-1G データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C12A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds550 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージI-PAK
パッケージ/ケースTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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