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STMicroelectronics / SCTWA50N120

SCTWA50N120

製造業者識別番号: SCTWA50N120
メーカー: STMicroelectronics
説明の一部: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
データシート: SCTWA50N120 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C65A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)20V
Rds On(Max)@ Id、Vgs69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@ Id3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs122 nC @ 20 V
Vgs(最大)+25V, -10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1900 pF @ 400 V
FET機能-
消費電力(最大)318W (Tc)
動作温度-55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージHiP247™
パッケージ/ケースTO-247-3
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