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GeneSiC Semiconductor / GA10JT12-263
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GA10JT12-263
| 製造業者識別番号: | GA10JT12-263 |
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
| 説明の一部: | TRANS SJT 1200V 25A |
| データシート: | GA10JT12-263 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 25A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | - |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 170W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | - |
オプションの購入
在庫状況: 170
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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