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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TW070J120B,S1Q

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TW070J120B,S1Q

製造業者識別番号: TW070J120B,S1Q
メーカー: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明の一部: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ*
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）1200 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C36A (Tc)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）20V
Rds On（Max）@ Id、Vgs90mOhm @ 18A, 20V
Vgs（th）（Max）@ Id5.8V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs67 nC @ 20 V
Vgs（最大）±25V, -10V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds1680 pF @ 800 V
FET機能Standard
消費電力（最大）272W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P(N)
パッケージ/ケースTO-3P-3, SC-65-3
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在庫状況: 273

最小: 1

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TW070J120B,S1Q

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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