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STMicroelectronics / IRF640

IRF640

製造業者識別番号: IRF640
メーカー: STMicroelectronics
説明の一部: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
データシート: IRF640 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズMESH OVERLAY™
パッケージTube
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C18A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs72 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1560 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)125W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-220AB
パッケージ/ケースTO-220-3
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