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IR (Infineon Technologies) / IPN50R3K0CEATMA1

IPN50R3K0CEATMA1

製造業者識別番号: IPN50R3K0CEATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
データシート: IPN50R3K0CEATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™ CE
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)500 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C2.6A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)13V
Rds On(Max)@ Id、Vgs3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 30µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs4.3 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds84 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)5W (Tc)
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223
パッケージ/ケースSOT-223-3
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