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IR (Infineon Technologies) / BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1
| 製造業者識別番号: | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON |
| データシート: | BSZ180P03NS3EGATMA1 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- IR (Infineon Technologies) BSZ180P03NS3EGATMA1 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | OptiMOS™ |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.1V @ 48µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2220 pF @ 15 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
オプションの購入
在庫状況: 4995
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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