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IR (Infineon Technologies) / IPT65R033G7XTMA1

IPT65R033G7XTMA1

製造業者識別番号: IPT65R033G7XTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
データシート: IPT65R033G7XTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™ C7
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)650 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C69A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs33mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 1.44mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs110 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds5000 pF @ 400 V
FET機能-
消費電力(最大)391W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース8-PowerSFN
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