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Microsemi / APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

製造業者識別番号: APTC90DAM60T1G
メーカー: Microsemi
説明の一部: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
データシート: APTC90DAM60T1G データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™
パッケージTray
部品ステータスObsolete
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)900 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C59A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 6mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs540 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds13600 pF @ 100 V
FET機能Super Junction
消費電力(最大)462W (Tc)
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージSP1
パッケージ/ケースSP1
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