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ROHM Semiconductor / R8002ANX

R8002ANX

製造業者識別番号: R8002ANX
メーカー: ROHM Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
データシート: R8002ANX データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスNot For New Designs
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)800 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C2A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs12.7 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds210 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)35W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-220FM
パッケージ/ケースTO-220-3 Full Pack
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