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ROHM Semiconductor / RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL

製造業者識別番号: RD3L08BGNTL
メーカー: ROHM Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C80A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs71 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds3620 pF @ 30 V
FET機能-
消費電力(最大)119W (Tc)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージTO-252
パッケージ/ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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