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GeneSiC Semiconductor / G3R160MT17D

G3R160MT17D

製造業者識別番号: G3R160MT17D
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明の一部: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
データシート: G3R160MT17D データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズG3R™
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1700 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C21A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)15V
Rds On(Max)@ Id、Vgs208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th)(Max)@ Id2.7V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs51 nC @ 15 V
Vgs(最大)±15V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1272 pF @ 1000 V
FET機能-
消費電力(最大)175W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-3
パッケージ/ケースTO-247-3
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