PHB45NQ10T,118

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchMOS™
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	100 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	47A (Tc)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	25mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	2600 pF @ 25 V
FET機能	-
消費電力（最大）	150W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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