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IR (Infineon Technologies) / BSP613P

BSP613P

製造業者識別番号: BSP613P
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
データシート: BSP613P データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズSIPMOS®
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスObsolete
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C2.9A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs33 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds875 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)1.8W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223-4
パッケージ/ケースTO-261-4, TO-261AA
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