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IR (Infineon Technologies) / BSZ440N10NS3GATMA1

BSZ440N10NS3GATMA1

製造業者識別番号: BSZ440N10NS3GATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
データシート: BSZ440N10NS3GATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)100 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C5.3A (Ta), 18A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.7V @ 12µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs9.1 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds640 pF @ 50 V
FET機能-
消費電力(最大)29W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TSDSON-8
パッケージ/ケース8-PowerTDFN
オプションの購入

在庫状況: 77766

最小: 1

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