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Rochester Electronics / IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

製造業者識別番号: IPB50R199CPATMA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
データシート: IPB50R199CPATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolMOS™
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)550 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C17A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.5V @ 660µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1.8 pF @ 100 V
FET機能-
消費電力(最大)139W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2
パッケージ/ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
オプションの購入

在庫状況: 440

最小: 1

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