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製造業者識別番号: | IPSH6N03LB G |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
説明の一部: | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 |
データシート: | IPSH6N03LB G データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | OptiMOS™ |
パッケージ | Tube |
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 30 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 50A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 6.3mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 40µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 5 V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2800 pF @ 15 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 83W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO251-3 |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |