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Rochester Electronics / FDFS2P103

FDFS2P103

製造業者識別番号: FDFS2P103
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
データシート: FDFS2P103 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズPowerTrench®
パッケージBulk
部品ステータスObsolete
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C5.3A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs8 nC @ 5 V
Vgs(最大)±25V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds528 pF @ 15 V
FET機能Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大)900mW (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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在庫状況: 29870

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