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製造業者識別番号: | IMBF170R650M1XTMA1 |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
説明の一部: | SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 |
データシート: | IMBF170R650M1XTMA1 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | CoolSiC™ |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 1700 V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 7.4A (Tc) |
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 12V, 15V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 650mOhm @ 1.5A, 15V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.7V @ 1.7mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 8 nC @ 12 V |
Vgs(最大) | +20V, -10V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 422 pF @ 1000 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 88W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | - |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |