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IR (Infineon Technologies) / IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1

製造業者識別番号: IMBF170R650M1XTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
データシート: IMBF170R650M1XTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolSiC™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1700 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C7.4A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)12V, 15V
Rds On(Max)@ Id、Vgs650mOhm @ 1.5A, 15V
Vgs(th)(Max)@ Id5.7V @ 1.7mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs8 nC @ 12 V
Vgs(最大)+20V, -10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds422 pF @ 1000 V
FET機能-
消費電力(最大)88W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ-
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-7
パッケージ/ケースTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
オプションの購入

在庫状況: 746

最小: 1

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