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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPW1R104PB,L1XHQ

TPW1R104PB,L1XHQ

製造業者識別番号: TPW1R104PB,L1XHQ
メーカー: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明の一部: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
データシート: TPW1R104PB,L1XHQ データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズU-MOSIX-H
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)40 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C120A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs1.14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs55 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds4560 pF @ 10 V
FET機能-
消費電力(最大)960mW (Ta), 132W (Tc)
動作温度175°C
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ8-DSOP Advance
パッケージ/ケース8-PowerVDFN
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在庫状況: 9880

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