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IR (Infineon Technologies) / IGT60R070D1ATMA1

IGT60R070D1ATMA1

製造業者識別番号: IGT60R070D1ATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
データシート: IGT60R070D1ATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズCoolGaN™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)600 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C31A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)-
Rds On(Max)@ Id、Vgs-
Vgs(th)(Max)@ Id1.6V @ 2.6mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs-
Vgs(最大)-10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds380 pF @ 400 V
FET機能-
消費電力(最大)125W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-HSOF-8-3
パッケージ/ケース8-PowerSFN
オプションの購入

在庫状況: 3726

最小: 1

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