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Rochester Electronics / NVTR01P02LT1G

NVTR01P02LT1G

製造業者識別番号: NVTR01P02LT1G
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET -2
データシート: NVTR01P02LT1G データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)20 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C1.3A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id1.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs3.1 nC @ 4 V
Vgs(最大)±12V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds225 pF @ 5 V
FET機能-
消費電力(最大)400mW (Ta)
動作温度-
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージSOT-23-3
パッケージ/ケースTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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在庫状況: 9999

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