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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

製造業者識別番号: HGTG10N120BND
メーカー: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
説明の一部: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
データシート: HGTG10N120BND データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTube
部品ステータスNot For New Designs
IGBTタイプNPT
電圧-コレクターエミッターの内訳(最大)1200 V
電流-コレクター(Ic)(最大)35 A
電流-コレクタパルス(Icm)80 A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大298 W
スイッチングエネルギー850µJ (on), 800µJ (off)
入力方式Standard
ゲートチャージ100 nC
Td(オン/オフ)@ 25°C23ns/165ns
試験条件960V, 10A, 10Ohm, 15V
逆回復時間(trr)70 ns
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
パッケージ/ケースTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-3
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