画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
製造業者識別番号: | GD30MPS06J |
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
説明の一部: | 650V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M |
データシート: | GD30MPS06J データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | - |
パッケージ | Tube |
部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧-DCリバース(Vr)(最大) | - |
現在-平均整流(Io) | 51A (DC) |
電圧-順方向(Vf)(最大)@ If | - |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | - |
現在-逆リーク@Vr | - |
静電容量@ Vr、F | 735pF @ 1V, 1MHz |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 |
動作温度-ジャンクション | -55°C ~ 175°C |