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GeneSiC Semiconductor / MURT20020R

MURT20020R

製造業者識別番号: MURT20020R
メーカー: GeneSiC Semiconductor
説明の一部: DIODE MODULE 200A 3TOWER
データシート: MURT20020R データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスActive
ダイオード構成1 Pair Common Anode
ダイオードタイプStandard
電圧-DCリバース(Vr)(最大)200 V
電流-平均整流(Io)(ダイオードあたり)200A (DC)
電圧-順方向(Vf)(最大)@ If1.3 V @ 100 A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)75 ns
現在-逆リーク@Vr25 µA @ 50 V
動作温度-ジャンクション-
取付タイプChassis Mount
パッケージ/ケースThree Tower
サプライヤーデバイスパッケージThree Tower
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