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IR (Infineon Technologies) / DD1200S17H4B2BOSA2

DD1200S17H4B2BOSA2

製造業者識別番号: DD1200S17H4B2BOSA2
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: DIODE MODULE 1200V 1200A
データシート: DD1200S17H4B2BOSA2 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTray
部品ステータスActive
ダイオード構成2 Independent
ダイオードタイプStandard
電圧-DCリバース(Vr)(最大)1700 V
電流-平均整流(Io)(ダイオードあたり)-
電圧-順方向(Vf)(最大)@ If2.1 V @ 1200 A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)-
現在-逆リーク@Vr1250 A @ 900 V
動作温度-ジャンクション-40°C ~ 150°C
取付タイプChassis Mount
パッケージ/ケースModule
サプライヤーデバイスパッケージAG-IHMB130-1
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在庫状況: 当日発送

最小: 1

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