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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SK879-Y(TE85L,F)

2SK879-Y(TE85L,F)

製造業者識別番号: 2SK879-Y(TE85L,F)
メーカー: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
説明の一部: JFET N-CH 0.1W USM
データシート: 2SK879-Y(TE85L,F) データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
電圧-ブレークダウン(V(BR)GSS)-
ドレインからソースへの電圧(Vdss)-
電流-ドレイン(Idss)@ Vds(Vgs = 0)1.2 mA @ 10 V
現在のドレイン(Id)-最大-
電圧-カットオフ(VGSオフ)@ Id400 mV @ 100 nA
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds8.2pF @ 10V
抵抗-RDS(オン)-
パワー-最大100 mW
動作温度125°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケースSC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージUSM
オプションの購入

在庫状況: 444

最小: 1

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