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Roving Networks / Microchip Technology / 2N2609
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2N2609
| 製造業者識別番号: | 2N2609 |
| メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
| 説明の一部: | JFETS |
| データシート: | 2N2609 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Bag |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 電圧-ブレークダウン（V（BR）GSS） | 30 V |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | - |
| 電流-ドレイン（Idss）@ Vds（Vgs = 0） | 2 mA @ 5 V |
| 現在のドレイン（Id）-最大 | 10 mA |
| 電圧-カットオフ（VGSオフ）@ Id | 750 mV @ 1 A |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10pF @ 5V |
| 抵抗-RDS（オン） | - |
| パワー-最大 | 300 mW |
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-18 (TO-206AA) |
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