SI4200DY-T1-GE3

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
FET機能	Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	25V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	8A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	25mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	12nC @ 10V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	415pF @ 13V
パワー-最大	2.8W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SO

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