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製造業者識別番号: | SISF20DN-T1-GE3 |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
説明の一部: | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
データシート: | SISF20DN-T1-GE3 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Standard |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 60V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 14A (Ta), 52A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 33nC @ 10V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1290pF @ 30V |
パワー-最大 | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SCD |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SCD |