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Rochester Electronics / BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

製造業者識別番号: BSO615CGHUMA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: PFET, 3.1A I(D), 60V, 0.11OHM, 2
データシート: BSO615CGHUMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズSIPMOS®
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN and P-Channel
FET機能Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60V
電流-連続排水(Id)@ 25°C3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 20µA, 2V @ 450µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs22.5nC, 20nC @ 10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds380pF, 460pF @ 25V
パワー-最大2W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージPG-DSO-8
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