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Advanced Linear Devices, Inc. / ALD1110ESAL
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ALD1110ESAL
| 製造業者識別番号: | ALD1110ESAL |
| メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 説明の一部: | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| データシート: | ALD1110ESAL データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | EPAD® |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET機能 | Standard |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 10V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.01V @ 1µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2.5pF @ 5V |
| パワー-最大 | 600mW |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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