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Vishay / Siliconix / SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

製造業者識別番号: SQ1912EH-T1_GE3
メーカー: Vishay / Siliconix
説明の一部: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
データシート: SQ1912EH-T1_GE3 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
FET機能Standard
ドレインからソースへの電圧(Vdss)20V
電流-連続排水(Id)@ 25°C800mA (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs1.15nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds75pF @ 10V
パワー-最大1.5W
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージSC-70-6
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