SI6562CDQ-T1-GE3

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N and P-Channel
FET機能	Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	20V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	6.7A, 6.1A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	23nC @ 10V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	850pF @ 10V
パワー-最大	1.6W, 1.7W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ	8-TSSOP

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