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製造業者識別番号: | SIB912DK-T1-GE3 |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
説明の一部: | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
データシート: | SIB912DK-T1-GE3 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | TrenchFET® |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 20V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 1.5A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 216mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 3nC @ 8V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 95pF @ 10V |
パワー-最大 | 3.1W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-75-6L Dual |