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製造業者識別番号: | CSD86336Q3D |
メーカー: | Texas Instruments |
説明の一部: | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
データシート: | CSD86336Q3D データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Logic Level Gate, 5V Drive |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 25V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 20A (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
パワー-最大 | 6W |
動作温度 | -55°C ~ 125°C |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
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量 | 単価 | 内線 価格 |
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