Choose a language
+1(337)-398-8111
Live-Chat
注文追跡
日本語
Vishay / Siliconix / SIA938DJT-T1-GE3
画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
SIA938DJT-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SIA938DJT-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
| データシート: | SIA938DJT-T1-GE3 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 述べる
- Vishay / Siliconix SIA938DJT-T1-GE3 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。
仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 20V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 21.5mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 425pF @ 10V |
| パワー-最大 | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
オプションの購入
在庫状況: 5910
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
||
貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
人気モデル
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
カートに追加されました！
このアイテムはカートに追加されました。