画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
製造業者識別番号: | EPC2108 |
メーカー: | EPC |
説明の一部: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
データシート: | EPC2108 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | eGaN® |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 60V, 100V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 1.7A, 500mA |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
パワー-最大 | - |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 9-VFBGA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) |