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製造業者識別番号: | SI8900EDB-T2-E1 |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
説明の一部: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
データシート: | SI8900EDB-T2-E1 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | TrenchFET® |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 20V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 5.4A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 1.1mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | - |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
パワー-最大 | 1W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 10-UFBGA, CSPBGA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |