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IR (Infineon Technologies) / BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

製造業者識別番号: BSZ0910NDXTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: DIFFERENTIATED MOSFETS
データシート: BSZ0910NDXTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
FET機能Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30V
電流-連続排水(Id)@ 25°C9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs5.6nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds800pF @ 15V
パワー-最大1.9W (Ta), 31W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-WISON-8
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在庫状況: 3420

最小: 1

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