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IR (Infineon Technologies) / AUIRF7343Q
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AUIRF7343Q
| 製造業者識別番号: | AUIRF7343Q |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC |
| データシート: | AUIRF7343Q データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 55V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 4.7A, 3.4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 36nC @ 10V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 740pF @ 25V |
| パワー-最大 | 2W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
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| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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