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Rochester Electronics / EFC6612R-TF

EFC6612R-TF

製造業者識別番号: EFC6612R-TF
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: N-CHANNEL, MOSFET
データシート: EFC6612R-TF データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能Logic Level Gate, 2.5V Drive
ドレインからソースへの電圧(Vdss)-
電流-連続排水(Id)@ 25°C-
Rds On(Max)@ Id、Vgs-
Vgs(th)(Max)@ Id-
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs27nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds-
パワー-最大2.5W
動作温度150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース6-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ6-CSP (1.77x3.54)
オプションの購入

在庫状況: 2019995

最小: 1

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