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製造業者識別番号: | SIS903DN-T1-GE3 |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
説明の一部: | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 |
データシート: | SIS903DN-T1-GE3 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | TrenchFET® Gen III |
パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Standard |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 20V |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 6A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 42nC @ 10V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2565pF @ 10V |
パワー-最大 | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 Dual |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 Dual |