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IR (Infineon Technologies) / BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1

製造業者識別番号: BSG0811NDATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
データシート: BSG0811NDATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレインからソースへの電圧(Vdss)25V
電流-連続排水(Id)@ 25°C19A, 41A
Rds On(Max)@ Id、Vgs3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs8.4nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1100pF @ 12V
パワー-最大2.5W
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TISON-8
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在庫状況: 7605

最小: 1

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