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EPC / EPC2101
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EPC2101
| 製造業者識別番号: | EPC2101 |
| メーカー: | EPC |
| 説明の一部: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| データシート: | EPC2101 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | eGaN® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 60V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 9.5A, 38A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| パワー-最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
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最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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