EPC2100ENGRT

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	eGaN®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能	GaNFET (Gallium Nitride)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	30V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
パワー-最大	-
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	Die
サプライヤーデバイスパッケージ	Die

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